矽源特ChipSourceTekTC8
矽源特ChipSourceTek-TC引脚图及引脚说明:
阻抗匹配对于放大器来说很重要，输出与反馈的平衡取决于电路的阻抗匹配情况，CMRR，PSRR和二次谐波失真的消除也可以得到优化。在PCB布局时，输入电阻应尽量的靠近芯片的输入引脚以获得更好的信噪比和更高的输入阻抗。为了得到最好的性能效果，芯片增益应设计为小于2V/V。低增益和大电电压信号可以使芯片的性能更加突出。矽源特ChipSourceTek-TC退耦电容矽源特ChipSourceTek-TC是一款高性能的D类音频功率放大器，需要适当的电源退耦以确保它的高效率和低谐波失真。退耦电容采用低阻抗陶瓷电容，容值为1uf，尽量靠近芯片电源供电度引脚，因为电路中任何电阻，电容和电感都可能影响到功率转换的效率。一个10uf或更大的电容放置在放大器的附近会得到更好的滤波效果，但在具有高电源电压抑制系数的放大器应用中是不需要这样一个电容的。矽源特ChipSourceTek-TC输入电容如果设计中的差分输入信号在0.5V到VCC-0.8V的范围内，如果输入信号幅度不在这个范围内，输入端是个高通滤波器或者用在单端输入系统中，输入电容是必须的。输入端作为高通滤波器时，滤波器中心频率的计算公式如下：（2）输入电阻和输入电容的参数直接影响到滤波器的下限频率，从而影响放大器的性能。输入电容的计算公式如下：（3）如果信号的输入频率在音频范围内，输入电容的精度可以是±10％或者更高，因为电容不匹配会影响的滤波器的性能。采用大电容（1uf）可以很好的重现低频信号。但在GSM电话中，地面信号在Hz上下摆动，但在多媒体数字信号偏解码器的信号却没有这样的摆动。矽源特ChipSourceTek-TC输出滤波器在不加输出滤波器的情况下使用，放大器到扬声器的连线的长度一般在mm以下。在手机等便携式通信设备，PAD都可以不用输出滤波器。在一些环境等条件不允许和一些特殊的情况下，要加入输出滤波器，加入低通滤波器，比如LC滤波器输出加贴片铁氧体磁珠滤波器典型应用电路输出加LC滤波器典型应用电路（截止频率为27KHz）矽源特ChipSourceTek-TC保护功能模式概述矽源特ChipSourceTek-TC是一款无破音Ｄ类音频功率放大器。且内置了过流保护，过热保护及欠压保护等功能。有效地保护芯片在异常工作状况下不被损坏。矽源特ChipSourceTek-TC就会进入过流保护模式。重新开关电源后即可取消该模式。矽源特ChipSourceTek-TCAB类模式应用说明矽源特ChipSourceTek-TC内部集成两个运算放大器，第一个放大器的增益可以调整反馈电阻来设置，后一个为电压反相跟随，从而形成增益可以配置的差分输出的放大驱动电路。矽源特ChipSourceTek-TC外部电阻配置如应用图示，运算放大器的增益由外部电阻Rf、Ri决定，其增益为Av=2×Rf/Ri，芯片通过VO1、VO2输出至负载，桥式接法。桥式接法比单端输出有几个优点：其一是，省却外部隔直滤波电容。单端输出时，如不接隔直电容，则在输出端有一直流电压，导致上电后有直流电流输出，这样即浪费了功耗，也容易损坏音响。其二是，双端输出，实际上是推挽输出，在同样输出电压情况下，驱动功率增加为单端的4倍，功率输出大。矽源特ChipSourceTek-TC芯片功耗功耗对于放大器来讲是一个关键指标之一，差分输出的放大器的最大自功耗为：PDMAX＝4×（VDD）2/（2×π2×RL）必须注意，自功耗是输出功率的函数。在进行电路设计时，不能够使得芯片内部的节温高于TJMAX（oC），根据芯片的热阻?JA来设计，可以通过自己散热铜铂来增加散热性能。如果芯片仍然达不到要求，则需要增大负载电阻、降低电源电压或降低环境温度来解决。矽源特ChipSourceTek-TC电源旁路在放大器的应用中，电源的旁路设计很重要，特别是对应用方案的噪声性能及电源电压抑制性能。设计中要求旁路电容尽量靠近芯片、电源脚。典型的电容为10uF的电解电容并上0.1uF的陶瓷电容。在矽源特ChipSourceTek-TC应用电路中，另一电容CB（接BYP管脚）也是非常关键，影响PSRR、开关/切换噪声性能。一般选择0.1uF～1uF的陶瓷电容。矽源特ChipSourceTek-TC掉电模式为了节电，在不使用放大器时，可以关闭放大器，矽源特ChipSourceTek-TC有掉电控制管脚，可以控制放大器是否工作。该控制管脚的电平必须要接满足接口要求的控制信号，否则芯片可能进入不定状态，而不能够进入掉电模式，其自功耗没有降低，达不到节电目的。矽源特ChipSourceTek-TC选择输入耦合电容过大的输入电容，增加成本、增加面积，这对于成本、面积紧张的应用来讲，非常不利。显然，确定使用多大的电容来完成耦合很重要。实际上，在很多应用中，扬声器（Speaker）不能够再现低于Hz－Hz的低频语音，因此采用大的电容并不能够改善系统的性能。除了考虑系统的性能，开关/切换噪声的抑制性能受电容的影响，如果耦合电容大，则反馈网络的延迟大，导致pop噪声出现，因此，小的耦合电容可以减少该噪声。另外，必须考虑CB电容的大小，选择CB=1μF，Ci＝0.1μF～0.39μF，可以满足系统的性能。矽源特ChipSourceTek-TC原理框图:矽源特ChipSourceTek-TC封装图:
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